Messgerät - Elektrotechnik - Bild 766
I C E Milano - Italien
I C E – Milano – Italien. Bild 766
Herstellungsjahr: ca. 1964
Bezeichnung: Transistor und Dioden – Testgerät Modell 662
Beschreibung: Der hier beschriebene Transitest I C E 662 wurde mit dem Ziel entwickelt, ein präzises, sehr vielseitiges und äußerst funktionales Gerät bereitzustellen, das es den unzähligen Elektro- Telekommunikation – und Radiotechnikern sowie den Branchenunternehmen ermöglicht, unseren allseits bekannten und Weltweiten geschätzten Supertester 680 C zur Prüfung von Dioden und Transistoren mit kleiner, mittlerer und hoher Leistung zu nutzen.
Der Transitest I C E 662, kann jedoch auch zusammen mit jedem anderen Tester von guter Empfindlichkeit und Präzision eingesetzt werden, wobei zu beachten ist, dass die Genauigkeit der durchführbaren Prüfungen und Messungen, wie bereits erwähnt, vor allem von der Genauigkeit des verwendeten Gerätes abhängt.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
Durchführbare Messungen:
Die mit dem Transitest I C E 662 durchführbaren Messungen sind vielfältig und werden hier kurz beschrieben:
I C E – Milano – Italien. Bild 766-1
Herstellungsjahr: ca. 1964
Bezeichnung: Transistor und Dioden – Testgerät Modell 662
Für den Techniker, der sich in diesem Bereich noch nicht so gut auskennt, möchten wir hier die Bedeutung der oben beschriebenen Symbole näher erläutern, damit er sich ein klares und präzises Bild davon machen kann:
1. I cbo = Gleichstrom im Kollektor, wenn der Kollektor - Basis-Übergang bei offenem Emitterkreis in Sperrrichtung gepolt ist.
2. I ebo ( Ieo ) = Gleichstrom im Emitter, wenn der Emitter-Basis - Übergang in Sperrrichtung vorgespannt ist und der Kollektorkreis offen ist.
3. I ceo = Gleichstrom im Kollektor, wenn der Kollektor – Basis - Übergang in Sperrrichtung vorgespannt ist und der Basiskreis offen ist.
4. I ces = Gleichstrom im Kollektor, wenn der Kollektor - Übergang in Sperrrichtung vorgespannt ist und die Basis mit dem Emitter kurzgeschlossen ist.
5. I cer = Gleichstrom im Kollektor, wenn der Kollektor - Übergang in Sperrrichtung vorgespannt ist und ein Widerstand zwischen Basis und Emitter liegt.
6. Vce Sat = Gleichspannung zwischen Kollektor und Emitter, wenn sich der Transistor bei einem bestimmten Kollektorstrom in der Sättigung befindet.
7. Vbe = Gleichspannung zwischen Basis und Emitter, wenn sich der Kollektor bei einem bestimmten Basisstrom in der Sättigung befindet.
8. h fe ( ß ) = statischer Stromverstärkungsfaktor bei einer Emitter - Sammelschaltung
9. Vf = Spannung an den Anschlüssen einer Diode, wenn diese von einem bestimmten Gleichstrom in Durchlassrichtung durchflossen wird.
10. Ir = Gleichstrom durch eine Diode, wenn diese einer bestimmten Spannung ausgesetzt ist, die sie in Sperrrichtung polarisiert.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
I C E – Milano – Italien. Bild 766-2
Herstellungsjahr: ca. 1964
Bezeichnung: Transistor und Dioden – Testgerät Modell 662
DIODEN
Wenn innerhalb desselben Kristalls ein „ N “-Bereich und ein „ P “-Bereich gebildet werden, entsteht eine Diode.
Die Grenze zwischen den beiden Bereichen wird als „ Übergang “ bezeichnet.
Der an den „ P“ -Bereich angeschlossene Anschluss wird als Anode bezeichnet
Der an den „ N “-Bereich angeschlossene Anschluss wird als Kathode bezeichnet.
Wenn an der Anode ein gegenüber der Kathode negatives Potential angelegt wird, ist sie in Sperrrichtung vorgespannt: In diesem Fall werden die Löcher der „ P “ - Zone zum Anodenanschluss hingezogen und entfernen sich gleichzeitig vom Übergang, während die Elektronen der „ N “ - Zone zum Kathodenanschluss hingezogen werden und sich ebenfalls vom Übergang entfernen. Folglich kann kein Ladungsträger durch den Übergang fließen, und somit fließt kein Strom durch die Diode, abgesehen von einem geringen Streustrom, der thermisch in den Atomen erzeugt wird, die dem Übergang am nächsten liegen.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
Es gibt jedoch einen Bereich nahe dem Übergang, der als Verarmungsschicht bezeichnet wird und in dem sich keine Ladungsträger befinden.
Die Ladungen der Donor - und Akzeptoratome erzeugen in diesem Bereich eine Spannung, die gleich und entgegengesetzt zu der zwischen Anode und Kathode angelegten Spannung ist.
Durch Erhöhung der angelegten Spannung wird ein Punkt erreicht, an dem die Elektronen, die aufgrund thermischer Effekte den Übergang durchqueren,
genügend Energie gewinnen, um durch Kollision die Freisetzung von Elektronen (Lawinenvervielfachung) zu bewirken. Die Spannung, unter der das oben beschriebene Phänomen auftritt, wird als „ Lawinenspannung “ oder „Durchbruchspannung“ des Übergangs bezeichnet. Wird die Spannung über die Durchbruchspannung hinaus weiter erhöht, fließt ein starker Strom durch den Übergang, der, sofern er nicht durch externe Widerstände begrenzt wird, zur Zerstörung der Diode führt. Wenn an der Anode der Diode eine positive Spannung gegenüber der Kathode angelegt wird, ist die Diode in Durchlassrichtung vorgespannt. In diesem Fall rekombinieren die durch die externe positive Spannung getriebenen Löcher ebenso wie die durch die negative Spannung getriebenen Elektronen über den Übergang. Daraus folgt, dass bereits das Anlegen einer schwachen Spannung in der Diode einen beträchtlichen Strom bewirkt.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
I C E – Milano – Italien. Bild 766-3
Herstellungsjahr: ca. 1964
Bezeichnung: Transistor und Dioden – Testgerät Modell 662
TRANSISTOR
Ein P - N - P - Transistor besteht aus einem dünnen Bereich vom Typ „ N “ zwischen zwei Bereichen vom Typ „ P “ ; dieser zentrale Bereich wird als „Basis“ bezeichnet und ist nicht dicker als 2 Hundertstel Millimeter.
Eine Verbindung wird als „Kollektorverbindung“ bezeichnet, die andere als „ Emitterverbindung “. In den meisten Anwendungen werden Transistoren in der Konfiguration mit gemeinsamem Emitter eingesetzt, bei der der Laststrom durch den Emitter und den Kollektor fließt, während der Steuerstrom durch den Emitter und die Basis fließt. Normalerweise wird der Kollektorübergang durch die Versorgungsspannung in Sperrrichtung vorgespannt, während der Emitterübergang durch die Basisspannung V be in Durchlassrichtung vorgespannt wird. Wie bei der Diode fließen die Löcher durch den direkt vorgespannten Emitterübergang und werden in den Basisbereich injiziert. Im Basisbereich angekommen, diffundieren die Löcher und werden im Kollektorbereich gesammelt, von wo aus sie durch den externen Stromkreis fließen. Daher lassen sich die Vorgänge im Transistor unterscheiden in:
Injektionsvorgang,
Diffusionsvorgang,
Sammelvorgang.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
Betrachtet man den Transistor nach dem Prinzip der Raumladung, so wird deutlich, dass der Kollektorstrom durch die negative Ladung ( Elektronenkonzentration ) im Basisbereich gesteuert wird. Wenn die Basisspannung V be erhöht wird, nimmt die negative Ladung in diesem Bereich zu,
was wiederum bewirkt, dass eine entsprechende Anzahl von Löchern vom Emitter über den Basisbereich zum Kollektor fließt.
Bei einem idealen Transistor würde es ausreichen, einen kurzen Stromimpuls anzulegen, um die erforderliche negative Ladung aufzubauen; danach würde der Kollektorstrom unbegrenzt weiterfließen.
Der Kollektorstrom könnte durch einen kurzen positiven Impuls an der Basis unterbunden werden, der die vorherige negative Ladung, die ihn verursacht hatte, aufhebt. In Wirklichkeit geschieht dies jedoch aufgrund verschiedener grundlegender Einschränkungen nicht. Einige Elektronen aus dem Basisbereich fließen durch den Emitterübergang, und einige verbinden sich mit den Löchern im Basisbereich. Aus diesen Gründen ist es notwendig, der Basis einen Strom zuzuführen, um diese Verluste auszugleichen. Das Verhältnis zwischen dem Kollektorstrom und dem Basisstrom wird als „Stromverstärkung“ des Transistors definiert: h fe = Ic / Ib.
Bei einem Wechselstromsignal beträgt die Stromverstärkung ß = h fe = ic / ib.
Das Verhältnis zwischen dem Wechselstrom am Kollektor und dem Wechselstrom am Emitter wird als α = hfb = ic / ie bezeichnet.
Wenn ein Transistor im Hochfrequenzbereich eingesetzt wird, wird die grundlegende Begrenzung durch die Zeit bestimmt, die die Ladungsträger benötigen, um sich durch den Basisbereich vom Emitter zum Kollektor auszubreiten. Die Frequenzeignung eines Transistors wird durch den Begriff ( Cutoff – Frequenz ) ( fhfb ) ausgedrückt, der die Frequenz definiert, bei der „ α „ auf 0,707 seines Wertes bei niedriger Frequenz abfällt.
Technische Daten und Details aus Original Unterlagen Fa. ICE – Milano von 1964
I C E – Milano – Italien. Bild 766-5
Herstellungsjahr: ca. 1964
Bezeichnung: Transistor und Dioden – Testgerät Modell 662
Transistor und Dioden Prüfgerät Modell 662 im Set mit allen Prüfschnüren in Verbindung mit dem Messgerät - Superstster 680 C.
