Messgerät - Elektrotechnik - Bild 756
Chinaglia Belluno - Italien
Chinaglia Belluno – Italien. Bild 756
Herstellungsjahr: 1979
Bezeichnung: Transistor und Dioden Testgerät.
Beschreibung: Allgemeines:
Unterteil abschrauben, Batterien einsetzen und auf Polarität achten.
Vor jeder Messung, Zeiger „ Nullstellung „ kontrollieren.
Messbereiche:
I DSS : 15 mA
β : 100 – 1000
Technische Merkmale:
Genauigkeit: ± 3 %
Speisung: 2 x 1,5 Volt Batterie R 6
Messen des I CEO Es sind drei Bereiche für die Messung des I CEO Stromes vorhanden.
I CEO SI Silizium, I CEO LP GE Germanium Low Power und I CEO P GE Germanium Power Transistoren.
I CEO SI Skalenendwert 50 µA
I CEO LP GE Skalenendwert 500 µA
I CEO P GE Skalenendwert 5 mA
Das Gerät ist bei diesen Messungen kurzschlusssicher.
Beschreibung und Details aus Original Unterlagen von Chinaglia – Belluno 1979
Chinaglia Belluno – Italien. Bild 756-2
Herstellungsjahr: 1979
Bezeichnung: Transistor und Dioden Testgerät.
Beschreibung: Allgemeines:
Unterteil abschrauben, Batterien einsetzen und auf Polarität achten.
Vor jeder Messung, Zeiger „ Nullstellung „ kontrollieren.
Messung: Die drei Kabel entsprechend anschließen, Schiebeschalter nach Transistortyp NPN – PNP einstellen. Drehknopf auf gewünschten Wert stellen und den zu prüfenden Transistor mit Spezialklemmen anschließen und angezeigten Wert auf der Skala ablesen.
Auf Bereich I CEO LP GE x 10 = µA
Bereich I CEO LP GE x 10 = µA
Bereich I CEO P GE x 0,1 = mA
Messung kann auch ohne Ausbau des Transistors ausgeführt werden, dabei sind aber Nebeneinflüsse möglich.
Verstärkungsmessung β:
Mit Drehknopf auf Stellung β x 1 + β x 10 kann die Stromverstärkung gemessen werden. Transistor wie erwähnt anschließen je nach Stellung des Drehknopfes den abgelesenen Wert x 1 oder x 10 multiplizieren.
Beschreibung und Details aus Original Unterlagen von Chinaglia – Belluno 1979
Messung:
Sättigungsmessung I DSS bei Fet – Feldeffekt – Transistoren.
Die Schaltung dieses Gerätes erlaubt eine Messung mit einem VDS von 3 Volt, auch wenn anstelle die in den meisten technischen Daten angegebenen Parametern mit einem VDS von 10 bis 20 Volt ermittelt werden.
Bei Messungen wie folgt vorgehen:
Schiebeschalter auf NPN oder PNP gemäß Ausführung des Fet – Transistors stellen.
Drehschalter auf I DSS Schalten. Transistor anschließen. Auf I DSS Skala 0 – 15 = Endausschlag 15 mAmp. ablesen.
Diodenprüfung:
Mit dem Transistortester können Durchfluss und Sperrwiderstände gemessen werden.
Messung:
Drehschalter auf I CEO SI Schalten, Diode wie auf der Frontplatte angegeben anschließen. Schiebeschalter auf Pos. ID Stellen. Zeiger muss auf Skalenende anschlagen.
Schiebeschalter auf Pos. – ID Stellen. Zeiger darf sich nur leicht vom Nullpunkt verschieben.
Bei defekter Diode Zeigerausschlag auf Skalenende.
Batteriekontrolle:
Um die Funktionstüchtigkeit der Batterie zu Prüfen, Drehschalter auf Pos. β x 10,
Buchsen C und E kurzschließen. Zeiger muss bis Skalenende ausschlagen, sonst Batterie austauschen.
Beschreibung und Details aus Original Unterlagen von Chinaglia – Belluno 1979